半導體poly gate
半導體poly gate

请问半导体技术中gatepoly译成什么?polysilicongate多晶硅栅极简称polygate,就是MOS管用多晶硅做栅极,用氧化硅做绝缘层,gatepoly应该是指做栅极的多晶硅材料.,2021年6月15日—(2um以前的时代都是MetalGate,1.5um以下的时代都是PolyGate了)。而PolyGate本身也是...

栅极材料的革命(Gate Electrode) (转) - 芯知社区

2021年6月15日—(2um以前的时代都是MetalGate,1.5um以下的时代都是PolyGate了)。而PolyGate本身也是一波三折,最早用PolyGate的时候Poly都是DopedPoly(540~560C), ...

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请问半导体技术中gate poly 译成什么? polysilicon gate多晶硅栅极简称poly gate,就是MOS管用多晶硅做栅极,用氧化硅做绝缘层,gate poly应该是指做栅极的多晶硅材料.

栅极材料的革命(Gate Electrode) (转) - 芯知社区

2021年6月15日 — (2um以前的时代都是Metal Gate,1.5um以下的时代都是Poly Gate了)。 而Poly Gate本身也是一波三折,最早用PolyGate的时候Poly都是Doped Poly (540~560C), ...

栅极材料的革命(Gate Electrode) (转)

2019年6月15日 — 至此,PolyGate的革命算是走向成熟了,所以说PolyGate几乎统治了半导体栅极革命的数十年整个亚微米时代 (Sub-Micron era),到半导体进入到纳米时代,则栅极 ...

半導體製程學習筆記

2023年7月5日 — (補充)nFET用N+ poly-Si gate;pFET用P+ poly-Si gate是為了 臨界電壓對稱Vtn=|Vtp| 。 (4) 因為有pn junction,因此要做多晶矽微影與蝕刻,再把光阻 ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — 閘極氧化層SiO2 dry oxide換成High-K,Poly gate換成metal gate。 涉及材料學的特性,因為High-K都是金屬氧化物(如HfO2),所以跟金屬的接面特性比較好 ...

工學院專班半導體材料與製程設備組

由 楊學修 著作 · 2006 — (poly gate)。此四個步驟中間並無間斷,於是當最後製程結果不合乎預期. 時必須要有量化的方式去釐清哪一個製程反應室出問題。對於基底氧化層、. 後氮化回火製程與 ...

先進電晶體技術與發展趨勢

2024年4月22日 — 電晶體尺寸以CPP (Contact Poly Pitch)代表,CPP是gate length、2 spacer (2LSP)和S/D長度的總和(圖2) [1]。 圖1. 電晶體技術節點(Technology Node)與閘極 ...

非正統之金氧半導體場效電晶體

金氧半導體場效電晶體(MOSFET)是. 過去三十年來微電子工業最重要的技術,. 根據國際半導體技術所設定的指標(ITRS. Roadmap)[1],基本上可符合莫耳定律.

高介電係數閘極介層技術

所引發在Poly Gate的空乏效應(Poly. Depletion Effect)越大,這猶如介電層電容. 串接了一個Poly Depletion電容,使得等. 效閘極電容變小,導通電流因此而降. 低。除此之外 ...


半導體polygate

请问半导体技术中gatepoly译成什么?polysilicongate多晶硅栅极简称polygate,就是MOS管用多晶硅做栅极,用氧化硅做绝缘层,gatepoly应该是指做栅极的多晶硅材料.,2021年6月15日—(2um以前的时代都是MetalGate,1.5um以下的时代都是PolyGate了)。而PolyGate本身也是一波三折,最早用PolyGate的时候Poly都是DopedPoly(540~560C), ...,2019年6月15日—至此,PolyGate的革命算是走向成熟了,所以说PolyGate几乎统治了半导体栅极革...